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  • ECM-100J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    ECM-100J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓, 經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生, 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問(wèn)量:2012    型號(hào):ECM-100
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  • ECMr-1000-n/ECMr-1000-nJ-RAS ECMr離子遷移試驗(yàn)裝置
    ECMr-1000-n/ECMr-1000-nJ-RAS ECMr離子遷移試驗(yàn)裝置
    J-RAS ECMr離子遷移試驗(yàn)裝置,在高溫高濕條件下,對(duì)電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測(cè)試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評(píng)估。 離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置 絕緣可靠性評(píng)估,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓 , 經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生 , 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF 試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHO
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問(wèn)量:430    型號(hào):ECMr-1000-n/ECMr-1000-n
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  • HVUα-3000VJ-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    HVUα-3000VJ-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF),在高溫高濕條件下,對(duì)電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測(cè)試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評(píng)估。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問(wèn)量:1453    型號(hào):HVUα-3000V
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  • ECM-100離子遷移測(cè)試裝置(CAF)
    ECM-100離子遷移測(cè)試裝置(CAF)
    ECM-100離子遷移測(cè)試裝置(CAF)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ), 經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION )。
    更新時(shí)間:2024-10-12    訪問(wèn)量:6661    型號(hào):ECM-100
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  • HVUα-2000V離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置(CAF)
    HVUα-2000V離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置(CAF)
    離子遷移實(shí)驗(yàn)裝置(CAF) 原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓 , 經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生 , 并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF 試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問(wèn)量:1185    型號(hào):HVUα-2000V
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  • ECM-500J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    ECM-500J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)絕緣電阻值測(cè)試,在高溫高濕條件下,對(duì)電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測(cè)試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評(píng)估。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問(wèn)量:1465    型號(hào):ECM-500
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